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IXBH42N170A

IXBH42N170A

참조 용

부품 번호 IXBH42N170A
PNEDA 부품 번호 IXBH42N170A
설명 IGBT 1700V 42A 357W TO247
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $255.8531
50 ---------- $243.8599
100 ---------- $231.8668
200 ---------- $219.8737
400 ---------- $209.8795
500 ---------- $199.8852
재고 있음 248
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IXBH42N170A 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXBH42N170A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXBH42N170A, IXBH42N170A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 236.83 KB)
PDFIXBT42N170A 데이터 시트 표지
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IXBH42N170A 사양

제조업체IXYS
시리즈BIMOSFET™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)42A
전류-수집기 펄스 (Icm)265A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic6V @ 15V, 21A
전력-최대357W
에너지 전환3.43mJ (on), 430µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지188nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/200ns
테스트 조건850V, 21A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)330ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXBH)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

150µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/150ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

AUIRG4BC30USTRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

160µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/78ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

700A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 120A

전력-최대

1500W

에너지 전환

6.75mJ (on), 5.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

412nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/176ns

테스트 조건

600V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

RGTH40TS65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

전력-최대

144W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

40nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/73ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

FGD4536TM_SN00306

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

360V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

47nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

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