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IXDD409CI

IXDD409CI

참조 용

부품 번호 IXDD409CI
PNEDA 부품 번호 IXDD409CI
설명 IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,104
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDD409CI 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDD409CI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDD409CI, IXDD409CI 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 657.6 KB)
PDFIXDI409SIA 데이터 시트 표지
IXDI409SIA 데이터 시트 페이지 2 IXDI409SIA 데이터 시트 페이지 3 IXDI409SIA 데이터 시트 페이지 4 IXDI409SIA 데이터 시트 페이지 5 IXDI409SIA 데이터 시트 페이지 6 IXDI409SIA 데이터 시트 페이지 7 IXDI409SIA 데이터 시트 페이지 8 IXDI409SIA 데이터 시트 페이지 9 IXDI409SIA 데이터 시트 페이지 10

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IXDD409CI 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)9A, 9A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 10ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-5
공급자 장치 패키지TO-220-5

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

-

채널 유형

-

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-

게이트 유형

-

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ISL89367FRTAZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-TDFN (5x3)

MIC4469ZWM-TR

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 13ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

UC3708DWG4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

SC1205CSTRT

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.15V ~ 6V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

25V

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 12ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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