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IXDD630CI

IXDD630CI

참조 용

부품 번호 IXDD630CI
PNEDA 부품 번호 IXDD630CI
설명 IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,816
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDD630CI 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDD630CI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDD630CI, IXDD630CI 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 289.55 KB)
PDFIXDN630MYI 데이터 시트 표지
IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 2 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 3 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 4 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 5 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 6 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 7 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 8 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 9 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 10 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 11

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IXDD630CI 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급12.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)30A, 30A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)11ns, 11ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-5
공급자 장치 패키지TO-220-5

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

85ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

UCC27511DBVT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 8A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-23-6

TC1411NCPA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IR22141SSPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

11.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

24ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

24-SSOP

LM5105SDX

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.8A, 1.8A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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