IXDE509D1
참조 용
| 부품 번호 | IXDE509D1 |
| PNEDA 부품 번호 | IXDE509D1 |
| 설명 | IC GATE DRIVER 9A 6-DFN |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,616 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXDE509D1 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXDE509D1 |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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IXDE509D1 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 30V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 9A, 9A |
| 입력 유형 | Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 25ns, 23ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-DFN (4x5) |
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제조업체 IXYS 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 7.5ns, 6.5ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-DFN (4x5) |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.75V ~ 5.25V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 500mA, 500mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 5ns, 7ns 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 200mA, 350mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 150ns, 50ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 4 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.25A, 2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 36V 상승 / 하강 시간 (일반) 26ns, 18ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 14-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 High-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 25ns, 15ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
