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IXDI402SIA

IXDI402SIA

참조 용

부품 번호 IXDI402SIA
PNEDA 부품 번호 IXDI402SIA
설명 IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,444
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 12 - 2월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDI402SIA 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDI402SIA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDI402SIA, IXDI402SIA 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 625.34 KB)
PDFIXDN402SIA 데이터 시트 표지
IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 2 IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 3 IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 4 IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 5 IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 6 IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 7 IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 8 IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 9 IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 10 IXDN402SIA 데이터 시트 페이지 11

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IXDI402SIA 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)8ns, 8ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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Microchip Technology

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

23ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 135V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-TFSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad, 12 Leads

공급자 장치 패키지

16-MSOP

TC428MJA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 30ns

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-CERDIP

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제조업체

STMicroelectronics

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채널 유형

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드라이버 수

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게이트 유형

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입력 유형

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높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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