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IXDI430CI

IXDI430CI

참조 용

부품 번호 IXDI430CI
PNEDA 부품 번호 IXDI430CI
설명 IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,910
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDI430CI 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDI430CI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDI430CI, IXDI430CI 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 613.4 KB)
PDFIXDS430SI 데이터 시트 표지
IXDS430SI 데이터 시트 페이지 2 IXDS430SI 데이터 시트 페이지 3 IXDS430SI 데이터 시트 페이지 4 IXDS430SI 데이터 시트 페이지 5 IXDS430SI 데이터 시트 페이지 6 IXDS430SI 데이터 시트 페이지 7 IXDS430SI 데이터 시트 페이지 8 IXDS430SI 데이터 시트 페이지 9 IXDS430SI 데이터 시트 페이지 10 IXDS430SI 데이터 시트 페이지 11

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IXDI430CI 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급8.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)30A, 30A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)18ns, 16ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-5
공급자 장치 패키지TO-220-5

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

40V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

210ns, 240ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

IPN10ELSXUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 40V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 400mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

380ns, 380ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PG-SSOP-14

IRS2003PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

TC4426AVOA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MIC4426YMM-TR

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 29ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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