IXDN609SIATR
참조 용
| 부품 번호 | IXDN609SIATR |
| PNEDA 부품 번호 | IXDN609SIATR |
| 설명 | IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC |
| 제조업체 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,644 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXDN609SIATR 리소스
| 브랜드 | IXYS Integrated Circuits Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXDN609SIATR |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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IXDN609SIATR 사양
| 제조업체 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 35V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 9A, 9A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 22ns, 15ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 16.6V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 170mA, 270mA 입력 유형 RC Input Circuit 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 IXYS 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 14A, 14A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 25ns, 22ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA 공급자 장치 패키지 TO-263 (D²Pak) |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.5A, 1.5A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 40ns, 40ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
