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IXDN630CI

IXDN630CI

참조 용

부품 번호 IXDN630CI
PNEDA 부품 번호 IXDN630CI
설명 IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 21,096
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDN630CI 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDN630CI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDN630CI, IXDN630CI 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 289.55 KB)
PDFIXDN630MYI 데이터 시트 표지
IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 2 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 3 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 4 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 5 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 6 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 7 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 8 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 9 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 10 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 11

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IXDN630CI 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급12.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)30A, 30A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)11ns, 11ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-5
공급자 장치 패키지TO-220-5

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Infineon Technologies

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구동 구성

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채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-DIP

IXDN504SIA

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 8ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LTC1693-1CS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

1.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

16ns, 16ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL89164FBEBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1.85V, 3.15V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

MCP1406-E/MFVAO

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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