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IXF611S1

IXF611S1

참조 용

부품 번호 IXF611S1
PNEDA 부품 번호 IXF611S1
설명 IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXF611S1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXF611S1
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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IXF611S1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성-
채널 유형-
드라이버 수-
게이트 유형-
전압-공급-
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-PowerPad

IRS26072DSPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

1EBN1001AEXUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q100, EiceDriver™

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

13V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 90ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PG-DSO-14-43

TC427CPAG

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 30ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IRS21850STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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