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IXFA230N075T2

IXFA230N075T2

참조 용

부품 번호 IXFA230N075T2
PNEDA 부품 번호 IXFA230N075T2
설명 MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFA230N075T2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFA230N075T2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFA230N075T2, IXFA230N075T2 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 206.05 KB)
PDFIXFP230N075T2 데이터 시트 표지
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IXFA230N075T2 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)230A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs178nC @ 10V
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)480W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 25V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

작동 온도

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.14W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

TSM6N60CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1248pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

89W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

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161A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4380pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

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