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IXFA230N075T2-7

IXFA230N075T2-7

참조 용

부품 번호 IXFA230N075T2-7
PNEDA 부품 번호 IXFA230N075T2-7
설명 MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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IXFA230N075T2-7 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFA230N075T2-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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IXFA230N075T2-7 사양

제조업체IXYS
시리즈GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)230A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs178nC @ 10V
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)480W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263-7 (IXTA..7)
패키지 / 케이스TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 10V

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33A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2950pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

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TO-247-3

STB16PF06LT4

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Infineon Technologies

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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4V @ 250µA

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34nC @ 10V

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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275nC @ 20V

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-

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