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IXFK100N25

IXFK100N25

참조 용

부품 번호 IXFK100N25
PNEDA 부품 번호 IXFK100N25
설명 MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,906
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFK100N25 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFK100N25
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFK100N25, IXFK100N25 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 97.85 KB)
PDFIXFX100N25 데이터 시트 표지
IXFX100N25 데이터 시트 페이지 2

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IXFK100N25 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs27mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs300nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9100pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)560W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-264AA (IXFK)
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

165mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 790µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

192W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

FDPF5N50TYDTU

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F (LG-Formed)

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

TN5325K1-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPI80N04S404AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3440pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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시리즈

-

FET 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

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