Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

IXFK30N110P

IXFK30N110P

참조 용

부품 번호 IXFK30N110P
PNEDA 부품 번호 IXFK30N110P
설명 MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,444
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFK30N110P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFK30N110P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFK30N110P, IXFK30N110P 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 116.34 KB)
PDFIXFK30N110P 데이터 시트 표지
IXFK30N110P 데이터 시트 페이지 2 IXFK30N110P 데이터 시트 페이지 3 IXFK30N110P 데이터 시트 페이지 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • IXFK30N110P Datasheet
  • where to find IXFK30N110P
  • IXYS

  • IXYS IXFK30N110P
  • IXFK30N110P PDF Datasheet
  • IXFK30N110P Stock

  • IXFK30N110P Pinout
  • Datasheet IXFK30N110P
  • IXFK30N110P Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFK30N110P Price
  • IXFK30N110P Distributor

IXFK30N110P 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs360mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs235nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13600pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)960W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-264AA (IXFK)
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA

관심을 가질만한 제품

SKI04044

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 42.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 650µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2410pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PSMN4R8-100PSEQ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

278nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

405W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

TPH3206LDGB

Transphorm

제조업체

Transphorm

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 480V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

81W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PQFN (8x8)

패키지 / 케이스

3-PowerDFN

AO4488L_101

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

112nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FQB5N15TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.75W (Ta), 54W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

최근 판매

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

LT8331IMSE#TRPBF

LT8331IMSE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG MULTI CONFG ADJ 16MSOP

AD7403BRIZ

AD7403BRIZ

Analog Devices

IC MODULATOR 16BIT 20M 16SOIC

NTS0104BQ,115

NTS0104BQ,115

NXP

IC TRNSLTR BIDIR 14DHVQFN

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

DAN217UMTL

DAN217UMTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F

EL5211IYEZ-T13

EL5211IYEZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8HMSOP

NC7WZ241K8X

NC7WZ241K8X

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8

WSLP1206R0500FEA

WSLP1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 1206

BTA10-700BRG

BTA10-700BRG

STMicroelectronics

TRIAC 700V 10A TO220AB

1SS355TE-17

1SS355TE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

AD9515BCPZ

AD9515BCPZ

Analog Devices

IC CLK BUFFER 1:2 1.6GHZ 32LFCSP