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IXFK55N50F

IXFK55N50F

참조 용

부품 번호 IXFK55N50F
PNEDA 부품 번호 IXFK55N50F
설명 MOSFET N-CH 500V 55A TO264
제조업체 IXYS-RF
단가 견적 요청
재고 있음 4,032
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFK55N50F 리소스

브랜드 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFK55N50F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFK55N50F, IXFK55N50F 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 145.67 KB)
PDFIXFK55N50F 데이터 시트 표지
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IXFK55N50F 사양

제조업체IXYS-RF
시리즈HiPerRF™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs85mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs195nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6700pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)560W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-264 (IXFK)
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA

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Nexperia

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.15V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3468pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

88W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

BSP297L6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

660mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 660mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

357pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223-4

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

STH15NB50FI

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

80W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOWATT-218

패키지 / 케이스

ISOWATT-218-3

IPI100N04S303AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

214W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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