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IXFK73N30

IXFK73N30

참조 용

부품 번호 IXFK73N30
PNEDA 부품 번호 IXFK73N30
설명 MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,442
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IXFK73N30 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFK73N30
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFK73N30, IXFK73N30 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 131.77 KB)
PDFIXFK73N30 데이터 시트 표지
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IXFK73N30 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs360nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-264AA (IXFK)
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

BS250FTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

330mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Infineon Technologies

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

199mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 660µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1520pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

139W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

560W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

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