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IXFL100N50P

IXFL100N50P

참조 용

부품 번호 IXFL100N50P
PNEDA 부품 번호 IXFL100N50P
설명 MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,444
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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IXFL100N50P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFL100N50P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IXFL100N50P 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs52mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs240nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds20000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)625W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지ISOPLUS264™
패키지 / 케이스ISOPLUS264™

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Infineon Technologies

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1.54mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1490pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

128W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ III

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2200pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

858W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTLUS4C16NTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

µCool™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.4mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

690pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.37W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-UDFN (1.6x1.6)

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.4A (Ta), 41A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

837pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.38W (Ta), 26.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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