IXFL32N120P
참조 용
| 부품 번호 | IXFL32N120P |
| PNEDA 부품 번호 | IXFL32N120P |
| 설명 | MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,870 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXFL32N120P 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXFL32N120P |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IXFL32N120P 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | HiPerFET™, PolarP2™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 24A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 360nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 21000pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 520W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 패키지 / 케이스 | ISOPLUSi5-Pak™ |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 66nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1900pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도 -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Single 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 705pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-TSOP 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
