IXFN20N120
참조 용
| 부품 번호 | IXFN20N120 |
| PNEDA 부품 번호 | IXFN20N120 |
| 설명 | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,544 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXFN20N120 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXFN20N120 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IXFN20N120 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | HiPerFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7400pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 780W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-227B |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 44mOhm @ 26.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 83µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1570pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 N-Channel 기술 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 29A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 14mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 5V Vgs (최대) +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1650pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 Die 패키지 / 케이스 Die |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 109nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4020pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 41A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1408pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 66W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669 |
