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IXFN40N110Q3

IXFN40N110Q3

참조 용

부품 번호 IXFN40N110Q3
PNEDA 부품 번호 IXFN40N110Q3
설명 MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
제조업체 IXYS
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재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFN40N110Q3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFN40N110Q3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFN40N110Q3, IXFN40N110Q3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 120.18 KB)
PDFIXFN40N110Q3 데이터 시트 표지
IXFN40N110Q3 데이터 시트 페이지 2 IXFN40N110Q3 데이터 시트 페이지 3 IXFN40N110Q3 데이터 시트 페이지 4 IXFN40N110Q3 데이터 시트 페이지 5

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IXFN40N110Q3 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs260mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id6.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs300nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)960W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227B
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7530pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPU50R1K4CEBKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

13V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 900mA, 13V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 70µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

178pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO251-3

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

MMBF2202PT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

859pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.11W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252-3

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