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IXFN94N50P2

IXFN94N50P2

참조 용

부품 번호 IXFN94N50P2
PNEDA 부품 번호 IXFN94N50P2
설명 500V POLAR2 HIPERFETS
제조업체 IXYS
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재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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IXFN94N50P2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFN94N50P2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFN94N50P2, IXFN94N50P2 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 174.68 KB)
PDFIXFN94N50P2 데이터 시트 표지
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IXFN94N50P2 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)68A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs55mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs220nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13700pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)780W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227B
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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Vishay Siliconix

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 190W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2200pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 38W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

UltraSO-8™

패키지 / 케이스

3-PowerSMD, Flat Leads

DMN31D6UT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13.6pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

320mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-523

패키지 / 케이스

SOT-523

NP160N055TUJ-E1-AY

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10350pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

67A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6120pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

370W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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