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IXFT44N50Q3

IXFT44N50Q3

참조 용

부품 번호 IXFT44N50Q3
PNEDA 부품 번호 IXFT44N50Q3
설명 MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,014
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFT44N50Q3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFT44N50Q3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFT44N50Q3, IXFT44N50Q3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 132.93 KB)
PDFIXFT44N50Q3 데이터 시트 표지
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IXFT44N50Q3 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs140mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id6.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs93nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4800pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)830W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-268
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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NexFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.15mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+16V, -12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4100pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSON-CLIP (5x6)

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSMT6 (SC-95)

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

CPH3362-TL-W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.7Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

142pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-CPH

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPA65R190E6XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 730µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1620pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

34W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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STMicroelectronics

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1370pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

115W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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