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IXFX30N100Q2

IXFX30N100Q2

참조 용

부품 번호 IXFX30N100Q2
PNEDA 부품 번호 IXFX30N100Q2
설명 MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,138
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFX30N100Q2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFX30N100Q2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFX30N100Q2, IXFX30N100Q2 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 576.83 KB)
PDFIXFK30N100Q2 데이터 시트 표지
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IXFX30N100Q2 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs400mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs186nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8200pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)735W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PLUS247™-3
패키지 / 케이스TO-247-3

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

510pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPS65R1K5CEAKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ CE

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

225pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251

패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak

2SK4099LS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

940mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 35W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FI(LS)

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

SI3400A-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1.155nF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 48V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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