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IXGA120N30TC

IXGA120N30TC

참조 용

부품 번호 IXGA120N30TC
PNEDA 부품 번호 IXGA120N30TC
설명 IGBT 300V 120A 250W TO263AA
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,578
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGA120N30TC 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGA120N30TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGA120N30TC, IXGA120N30TC 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 34.89 KB)
PDFIXGA120N30TC 데이터 시트 표지
IXGA120N30TC 데이터 시트 페이지 2

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IXGA120N30TC 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)300V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 60A
전력-최대250W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지134nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (IXGA)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

전력-최대

480W

에너지 전환

1.1mJ (on), 21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/250ns

테스트 조건

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

STGB20NB37LZT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

425V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

11.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

2.3µs/2µs

테스트 조건

250V, 20A, 1kOhm, 4.5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGW40NC60KD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

595µJ (on), 716µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/164ns

테스트 조건

480V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

45ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

APT15GN120KG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

195W

에너지 전환

410µJ (on), 950µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/150ns

테스트 조건

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220 [K]

STGB7NB40LZT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 5V, 14A

전력-최대

100W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

22nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

900ns/4.4µs

테스트 조건

300V, 46Ohm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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