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IXGA12N60BD1

IXGA12N60BD1

참조 용

부품 번호 IXGA12N60BD1
PNEDA 부품 번호 IXGA12N60BD1
설명 IGBT 600V 24A 100W TO263AA
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,644
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGA12N60BD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGA12N60BD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGA12N60BD1, IXGA12N60BD1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 71.06 KB)
PDFIXGP12N60B 데이터 시트 표지
IXGP12N60B 데이터 시트 페이지 2

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IXGA12N60BD1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)24A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
전력-최대100W
에너지 전환500µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지32nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/150ns
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (IXGA)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

94W

에너지 전환

132µJ (on), 62µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17.8ns/81.6ns

테스트 조건

400V, 10A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

274ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF-3

RJH60D6DPM-00#T1

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

전력-최대

50W

에너지 전환

850µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/160ns

테스트 조건

300V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

SGW10N60RUFDTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 10A

전력-최대

75W

에너지 전환

141µJ (on), 215µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/36ns

테스트 조건

300V, 10A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

IRG4BC20KD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

340µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

54ns/180ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGB40N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

115µJ (on), 195µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/35ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

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