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IXGA16N60B2D1

IXGA16N60B2D1

참조 용

부품 번호 IXGA16N60B2D1
PNEDA 부품 번호 IXGA16N60B2D1
설명 IGBT 600V 40A 150W TO263
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGA16N60B2D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGA16N60B2D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGA16N60B2D1, IXGA16N60B2D1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 213.33 KB)
PDFIXGP16N60B2D1 데이터 시트 표지
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IXGA16N60B2D1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 12A
전력-최대150W
에너지 전환160µJ (on), 120µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/73ns
테스트 조건400V, 12A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)30ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (IXGA)

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 5A

전력-최대

83W

에너지 전환

56µJ (on), 78.5µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

43nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/140ns

테스트 조건

400V, 5A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

134.5ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

IRGS4064DTRRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.91V @ 15V, 10A

전력-최대

101W

에너지 전환

29µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/79ns

테스트 조건

400V, 10A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

62ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

NGTB75N65FL2WAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전력-최대

536W

에너지 전환

610µJ (on), 1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

310nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/157ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

TO-247-4L

IRG8CH137K10F

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 150A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

820nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

115ns/570ns

테스트 조건

600V, 150A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

시리즈

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Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전력-최대

375W

에너지 전환

770µJ (on), 550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

287nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

58ns/328ns

테스트 조건

400V, 50A, 7.9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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