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IXGH10N100U1

IXGH10N100U1

참조 용

부품 번호 IXGH10N100U1
PNEDA 부품 번호 IXGH10N100U1
설명 IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,084
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH10N100U1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH10N100U1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH10N100U1, IXGH10N100U1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 121.58 KB)
PDFIXGH10N100AU1 데이터 시트 표지
IXGH10N100AU1 데이터 시트 페이지 2 IXGH10N100AU1 데이터 시트 페이지 3 IXGH10N100AU1 데이터 시트 페이지 4 IXGH10N100AU1 데이터 시트 페이지 5 IXGH10N100AU1 데이터 시트 페이지 6

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IXGH10N100U1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1000V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 10A
전력-최대100W
에너지 전환2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지52nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C100ns/550ns
테스트 조건800V, 10A, 150Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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IXYS

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

270µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/42ns

테스트 조건

300V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

HGTP12N60C3D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

104W

에너지 전환

380µJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

AIHD10N60RATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

210µJ (on), 380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/192ns

테스트 조건

400V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

IRG8CH20K10F

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/170ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IHW30N120R2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

전력-최대

390W

에너지 전환

3.1mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

198nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/792ns

테스트 조건

600V, 30A, 28Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

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