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IXGH10N170A

IXGH10N170A

참조 용

부품 번호 IXGH10N170A
PNEDA 부품 번호 IXGH10N170A
설명 IGBT 1700V 10A 140W TO247
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $76.1108
50 ---------- $72.5432
100 ---------- $68.9755
200 ---------- $65.4078
400 ---------- $62.4347
500 ---------- $59.4616
재고 있음 224
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IXGH10N170A 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH10N170A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH10N170A, IXGH10N170A 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 565.64 KB)
PDFIXGT10N170A 데이터 시트 표지
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IXGH10N170A 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전류-수집기 펄스 (Icm)20A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic6V @ 15V, 5A
전력-최대140W
에너지 전환380µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지29nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C46ns/190ns
테스트 조건850V, 10A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

AOD5B60D

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 5A

전력-최대

54.4W

에너지 전환

140µJ (on), 40µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

9.4nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/82ns

테스트 조건

400V, 5A, 60Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

98ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

IRG7PH42UD2-EP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.02V @ 15V, 30A

전력-최대

321W

에너지 전환

1.32mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

234nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/233ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

FGD4536TM_SN00306

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

360V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

47nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

STGP20NC60V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

220µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/100ns

테스트 조건

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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