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IXGH12N120A3

IXGH12N120A3

참조 용

부품 번호 IXGH12N120A3
PNEDA 부품 번호 IXGH12N120A3
설명 IGBT 1200V 22A 100W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,904
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH12N120A3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH12N120A3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH12N120A3, IXGH12N120A3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 201.89 KB)
PDFIXGH12N120A3 데이터 시트 표지
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IXGH12N120A3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)22A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 12A
전력-최대100W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지20.4nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 10A

전력-최대

75W

에너지 전환

141µJ (on), 215µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/36ns

테스트 조건

300V, 10A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

NGTB30N60FLWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

700µJ (on), 280µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

83ns/170ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

63-7000PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IXST30N60C

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

200W

에너지 전환

700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/90ns

테스트 조건

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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TO-268

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ON Semiconductor

제조업체

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에너지 전환

12.4mJ (on), 5.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

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Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

53ns/98ns

테스트 조건

400V, 160A, 15V

역 복구 시간 (trr)

132ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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