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IXGH24N120C3H1

IXGH24N120C3H1

참조 용

부품 번호 IXGH24N120C3H1
PNEDA 부품 번호 IXGH24N120C3H1
설명 IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $101.3307
50 ---------- $96.5808
100 ---------- $91.8309
200 ---------- $87.0811
400 ---------- $83.1228
500 ---------- $79.1646
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IXGH24N120C3H1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH24N120C3H1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH24N120C3H1, IXGH24N120C3H1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 141.27 KB)
PDFIXGH24N120C3H1 데이터 시트 표지
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  • IXGH24N120C3H1 Distributor

IXGH24N120C3H1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)48A
전류-수집기 펄스 (Icm)96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4.2V @ 15V, 20A
전력-최대250W
에너지 전환1.16mJ (on), 470µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C16ns/93ns
테스트 조건600V, 20A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)70ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

950V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.11V @ 15V, 75A

전력-최대

434W

에너지 전환

8.8mJ (on), 3.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

137nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28.8ns/117ns

테스트 조건

600V, 75A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

259ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGS5N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 5A

전력-최대

35W

에너지 전환

88µJ (on), 107µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

16nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/34ns

테스트 조건

300V, 5A, 40Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

전력-최대

1040W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

358nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/418ns

테스트 조건

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

STGBL6NC60DIT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

전력-최대

56W

에너지 전환

32µJ (on), 24µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6.7ns/46ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

23ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

94W

에너지 전환

1.17mJ (on), 940µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/142ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

102ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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