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IXGH32N60BU1

IXGH32N60BU1

참조 용

부품 번호 IXGH32N60BU1
PNEDA 부품 번호 IXGH32N60BU1
설명 IGBT 600V 60A 200W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH32N60BU1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH32N60BU1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH32N60BU1, IXGH32N60BU1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 139.14 KB)
PDFIXGH32N60BU1 데이터 시트 표지
IXGH32N60BU1 데이터 시트 페이지 2 IXGH32N60BU1 데이터 시트 페이지 3 IXGH32N60BU1 데이터 시트 페이지 4 IXGH32N60BU1 데이터 시트 페이지 5 IXGH32N60BU1 데이터 시트 페이지 6

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IXGH32N60BU1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 32A
전력-최대200W
에너지 전환600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/100ns
테스트 조건480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)50ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

430µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/80ns

테스트 조건

400V, 20A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

135ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGH40T120SMD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

555W

에너지 전환

2.7mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

370nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/475ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

65ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

RGW60TS65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

178W

에너지 전환

480µJ (on), 490µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/114ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

FGH60N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

320A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

625W

에너지 전환

400µJ (on), 310µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/70ns

테스트 조건

390V, 40A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG4RC20FTRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

전류-수집기 펄스 (Icm)

44A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

66W

에너지 전환

190µJ (on), 920µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/194ns

테스트 조건

480V, 12A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

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