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IXGH48N60C3

IXGH48N60C3

참조 용

부품 번호 IXGH48N60C3
PNEDA 부품 번호 IXGH48N60C3
설명 IGBT 600V 75A 300W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,226
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH48N60C3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH48N60C3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IXGH48N60C3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
전력-최대300W
에너지 전환410µJ (on), 230µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/60ns
테스트 조건400V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

관심을 가질만한 제품

FGP3440G2-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

26.9A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.2V @ 4V, 6A

전력-최대

166W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1µs/5.3µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

500W

에너지 전환

1.9mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

74nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/78ns

테스트 조건

450V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

IKU15N60RBKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

900µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/183ns

테스트 조건

400V, 15A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

PG-TO251-3

IRGB14C40LPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

900ns/6µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

HGTG10N120BND

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

298W

에너지 전환

850µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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