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IXGR35N120BD1

IXGR35N120BD1

참조 용

부품 번호 IXGR35N120BD1
PNEDA 부품 번호 IXGR35N120BD1
설명 IGBT 1200V 54A 250W ISOPLUS247
제조업체 IXYS
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IXGR35N120BD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGR35N120BD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGR35N120BD1, IXGR35N120BD1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 520.11 KB)
PDFIXGR35N120BD1 데이터 시트 표지
IXGR35N120BD1 데이터 시트 페이지 2

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IXGR35N120BD1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)54A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 35A
전력-최대250W
에너지 전환900µJ (on), 3.8mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/270ns
테스트 조건960V, 35A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)40ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUS247™
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™

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STMicroelectronics

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-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

전력-최대

33W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

390V, 7A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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IRG7PH35U-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

RJH1CV7DPK-00#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 35A

전력-최대

320W

에너지 전환

3.2mJ (on), 2.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

166nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

53ns/185ns

테스트 조건

600V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT25GP90BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

72A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/55ns

테스트 조건

600V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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IRGP4262D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/73ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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TO-247-3

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