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IXGT28N60BD1

IXGT28N60BD1

참조 용

부품 번호 IXGT28N60BD1
PNEDA 부품 번호 IXGT28N60BD1
설명 IGBT 600V 40A 150W TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,780
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGT28N60BD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGT28N60BD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGT28N60BD1, IXGT28N60BD1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 513.55 KB)
PDFIXGT28N60BD1 데이터 시트 표지
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IXGT28N60BD1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 28A
전력-최대150W
에너지 전환2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지68nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/175ns
테스트 조건480V, 28A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

55µJ (on), 60µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/100ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

FGB30N6S2D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

108A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/40ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

46ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

125A

전류-수집기 펄스 (Icm)

420A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

전력-최대

660W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/205ns

테스트 조건

960V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247PLUS-HV

RGT16TM65DGC9

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

9A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

전력-최대

22W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/33ns

테스트 조건

400V, 8A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220NFM

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

57nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/148ns

테스트 조건

960V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

30ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

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