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IXGX120N120A3

IXGX120N120A3

참조 용

부품 번호 IXGX120N120A3
PNEDA 부품 번호 IXGX120N120A3
설명 IGBT 1200V 240A 830W PLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGX120N120A3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGX120N120A3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGX120N120A3, IXGX120N120A3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 217.21 KB)
PDFIXGX120N120A3 데이터 시트 표지
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IXGX120N120A3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)240A
전류-수집기 펄스 (Icm)600A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 100A
전력-최대830W
에너지 전환10mJ (on), 33mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지420nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/490ns
테스트 조건960V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PLUS247™-3

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

456µJ (on), 411µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

226nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/208ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

STGF7H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

28A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 7A

전력-최대

24W

에너지 전환

99µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/160ns

테스트 조건

400V, 7A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

136ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

48A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 8A

전력-최대

125W

에너지 전환

460µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.3nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/40ns

테스트 조건

450V, 8A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

114ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AA

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

265A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 21A

전력-최대

357W

에너지 전환

3.43mJ (on), 430µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

188nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/200ns

테스트 조건

850V, 21A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

330ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

59A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.77V @ 15V, 24A

전력-최대

246W

에너지 전환

532µJ (on), 311µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

77nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/90ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

102ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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