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IXGX120N120B3

IXGX120N120B3

참조 용

부품 번호 IXGX120N120B3
PNEDA 부품 번호 IXGX120N120B3
설명 IGBT 1200V 200A 830W PLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,610
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGX120N120B3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGX120N120B3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IXGX120N120B3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전류-수집기 펄스 (Icm)370A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 100A
전력-최대830W
에너지 전환5.5mJ (on), 5.8mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지470nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C36ns/275ns
테스트 조건600V, 100A, 2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PLUS247™-3

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 40A

전력-최대

429W

에너지 전환

2.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

365nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/343ns

테스트 조건

600V, 40A, 7.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

NGB8206NTF4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/5µs

테스트 조건

300V, 9A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

TIG066SS-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5V @ 4V, 150A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

STGW40V60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

456µJ (on), 411µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

226nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/208ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

APT20GT60BRG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

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에너지 전환

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입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/80ns

테스트 조건

400V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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