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IXGX120N120B3

IXGX120N120B3

참조 용

부품 번호 IXGX120N120B3
PNEDA 부품 번호 IXGX120N120B3
설명 IGBT 1200V 200A 830W PLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 24 - 9월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGX120N120B3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGX120N120B3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IXGX120N120B3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전류-수집기 펄스 (Icm)370A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 100A
전력-최대830W
에너지 전환5.5mJ (on), 5.8mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지470nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C36ns/275ns
테스트 조건600V, 100A, 2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PLUS247™-3

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전력-최대

245W

에너지 전환

1.6mJ (on), 700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

74nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/100ns

테스트 조건

600V, 15A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGW40V60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

456µJ (on), 411µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

226nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/208ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRGB4640DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

115µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/104ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

89ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AC

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

440A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 70A

전력-최대

695W

에너지 전환

1.9mJ (on), 2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

143nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/120ns

테스트 조건

360V, 70A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

108A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/40ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

46ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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