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IXKK85N60C

IXKK85N60C

참조 용

부품 번호 IXKK85N60C
PNEDA 부품 번호 IXKK85N60C
설명 MOSFET N-CH 600V 85A TO-264
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,636
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 20 - 11월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXKK85N60C 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXKK85N60C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXKK85N60C, IXKK85N60C 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 212.22 KB)
PDFIXKK85N60C 데이터 시트 표지
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IXKK85N60C 사양

제조업체IXYS
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs36mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs650nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능Super Junction
전력 손실 (최대)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-264A
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA

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Toshiba Semiconductor and Storage

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7540pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP Advance (5x5)

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3094pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

278W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AC

패키지 / 케이스

TO-247-3

DN2535N3-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

350V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25Ohm @ 120mA, 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92 (TO-226)

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

2N7638-GA

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc) (158°C)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 8A

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

720pF @ 35V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 225°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

909W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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