IXRFDSM607X2
참조 용
| 부품 번호 | IXRFDSM607X2 |
| PNEDA 부품 번호 | IXRFDSM607X2 |
| 설명 | 15A LOW SIDE MOSFET DRIVER IN SM |
| 제조업체 | IXYS-RF |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,758 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXRFDSM607X2 리소스
| 브랜드 | IXYS-RF |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXRFDSM607X2 |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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IXRFDSM607X2 사양
| 제조업체 | IXYS-RF |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 8V ~ 18V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 15A, 15A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 4ns, 4ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-SMD |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 17V (Max) 논리 전압-VIL, VIH 1.1V, 1.8V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 400mA, 650mA 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 70ns, 40ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH 1.4V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 114V 상승 / 하강 시간 (일반) 10ns, 10ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 9-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 9-TDFN (4x4) |
