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IXSH30N60AU1

IXSH30N60AU1

참조 용

부품 번호 IXSH30N60AU1
PNEDA 부품 번호 IXSH30N60AU1
설명 IGBT 600V 50A 200W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,916
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXSH30N60AU1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXSH30N60AU1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXSH30N60AU1, IXSH30N60AU1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 82.72 KB)
PDFIXSH30N60U1 데이터 시트 표지
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IXSH30N60AU1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 30A
전력-최대200W
에너지 전환2.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C60ns/400ns
테스트 조건480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)50ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXSH)

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제조업체

ON Semiconductor

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

0.9µs/4.8µs

테스트 조건

300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252)

FGY75N60SMD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 75A

전력-최대

750W

에너지 전환

2.3mJ (on), 770µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

248nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/136ns

테스트 조건

400V, 75A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

PowerTO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

66nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/110ns

테스트 조건

400V, 24A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

STGW50HF60SD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 30A

전력-최대

284W

에너지 전환

250µJ (on), 4.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/220ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

67ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IXBX64N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

156A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

전력-최대

735W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

400nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

49ns/232ns

테스트 조건

1250V, 128A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

160ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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