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IXSK35N120BD1

IXSK35N120BD1

참조 용

부품 번호 IXSK35N120BD1
PNEDA 부품 번호 IXSK35N120BD1
설명 IGBT 1200V 70A 300W TO264
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXSK35N120BD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXSK35N120BD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXSK35N120BD1, IXSK35N120BD1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 118.52 KB)
PDFIXSX35N120BD1 데이터 시트 표지
IXSX35N120BD1 데이터 시트 페이지 2

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IXSK35N120BD1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 35A
전력-최대300W
에너지 전환5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C36ns/160ns
테스트 조건960V, 35A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)40ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지TO-264AA(IXSK)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

57A

전류-수집기 펄스 (Icm)

114A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

251nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/845ns

테스트 조건

960V, 33A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IRG4PSH71UD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

99A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 70A

전력-최대

350W

에너지 전환

8.8mJ (on), 9.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

380nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/250ns

테스트 조건

960V, 70A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-274AA

공급자 장치 패키지

SUPER-247™ (TO-274AA)

SGL160N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 80A

전력-최대

250W

에너지 전환

2.5mJ (on), 1.76mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

345nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/90ns

테스트 조건

300V, 80A, 3.9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

AIGW50N65F5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

270W

에너지 전환

490µJ (on), 140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

1018nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/156ns

테스트 조건

400V, 25A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3-41

APT36GA60B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전류-수집기 펄스 (Icm)

109A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

307µJ (on), 254µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/122ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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