IXTJ36N20
참조 용
| 부품 번호 | IXTJ36N20 |
| PNEDA 부품 번호 | IXTJ36N20 |
| 설명 | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,924 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXTJ36N20 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXTJ36N20 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IXTJ36N20 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | HiPerFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 4mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2970pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 300W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247AD |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3 Full Pack |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 732pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 47mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.05nC @ 5V Vgs (최대) ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 535pF @ 4V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-70-6 (SOT-363) 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 StrongIRFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 96A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 203nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9915pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 313W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247AC 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.7nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 637pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-26 패키지 / 케이스 SOT-23-6 |
