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IXTL2X200N085T

IXTL2X200N085T

참조 용

부품 번호 IXTL2X200N085T
PNEDA 부품 번호 IXTL2X200N085T
설명 MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,448
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTL2X200N085T 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTL2X200N085T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IXTL2X200N085T, IXTL2X200N085T 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 66.13 KB)
PDFIXTL2X200N085T 데이터 시트 표지
IXTL2X200N085T 데이터 시트 페이지 2

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IXTL2X200N085T 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchMV™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)112A
Rds On (최대) @ Id, Vgs6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs152nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7600pF @ 25V
전력-최대150W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUSi5-Pak™
공급자 장치 패키지ISOPLUSi5-Pak™

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ON Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 30V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TSM6963SDCA RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 10V

전력-최대

1.14W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

70V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

165A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

480nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8800pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

TO-240AA

공급자 장치 패키지

TO-240AA

DMPH6050SSDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1525pF @ 30V

전력-최대

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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