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IXTN40P50P

IXTN40P50P

참조 용

부품 번호 IXTN40P50P
PNEDA 부품 번호 IXTN40P50P
설명 MOSFET P-CH 500V 40A SOT227
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTN40P50P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTN40P50P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTN40P50P, IXTN40P50P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 117.36 KB)
PDFIXTN40P50P 데이터 시트 표지
IXTN40P50P 데이터 시트 페이지 2 IXTN40P50P 데이터 시트 페이지 3 IXTN40P50P 데이터 시트 페이지 4 IXTN40P50P 데이터 시트 페이지 5

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IXTN40P50P 사양

제조업체IXYS
시리즈PolarP™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs230mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs205nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds11500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)890W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227B
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2950pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

310W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AD

패키지 / 케이스

TO-247-3

IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ C7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 590µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2140pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

128W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHG23N60E-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

E

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

158mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2418pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

227W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TA)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AC

패키지 / 케이스

TO-247-3

SI2341DS-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

710mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

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제조업체

Diodes Incorporated

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-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

230mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.65nC @ 10V

Vgs (최대)

±40V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

72pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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