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IXTN62N50L

IXTN62N50L

참조 용

부품 번호 IXTN62N50L
PNEDA 부품 번호 IXTN62N50L
설명 MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,284
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTN62N50L 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTN62N50L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTN62N50L, IXTN62N50L 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 130.76 KB)
PDFIXTN62N50L 데이터 시트 표지
IXTN62N50L 데이터 시트 페이지 2 IXTN62N50L 데이터 시트 페이지 3 IXTN62N50L 데이터 시트 페이지 4 IXTN62N50L 데이터 시트 페이지 5

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IXTN62N50L 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)62A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 500mA, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs550nC @ 20V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds11500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)800W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227B
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 45.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1402pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

VEC2415-TL-EX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

CSD17555Q5A

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제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4650pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSONP (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

AONR21357

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Ta), 34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2830pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (3x3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

SIHG22N60EF-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

EF

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

182mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1423pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

179W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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