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IXTP44P15T

IXTP44P15T

참조 용

부품 번호 IXTP44P15T
PNEDA 부품 번호 IXTP44P15T
설명 MOSFET P-CH 150V 44A TO-220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,874
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTP44P15T 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTP44P15T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTP44P15T, IXTP44P15T 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 237.49 KB)
PDFIXTH44P15T 데이터 시트 표지
IXTH44P15T 데이터 시트 페이지 2 IXTH44P15T 데이터 시트 페이지 3 IXTH44P15T 데이터 시트 페이지 4 IXTH44P15T 데이터 시트 페이지 5 IXTH44P15T 데이터 시트 페이지 6 IXTH44P15T 데이터 시트 페이지 7

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IXTP44P15T 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchP™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs65mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs175nC @ 10V
Vgs (최대)±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)298W (Tc)
작동 온도-
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

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Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

33V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 2.2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

WMini8-F1

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

SUM110N04-2M1P-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29A (Ta), 110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18800pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 312W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPB80N06S2-H5

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 230µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTD2955G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

55W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

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SCTH90N65G2V-7

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 50A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

157nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3300pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

330W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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