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IXTY48P05T

IXTY48P05T

참조 용

부품 번호 IXTY48P05T
PNEDA 부품 번호 IXTY48P05T
설명 MOSFET P-CH 50V 48A TO-252
제조업체 IXYS
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예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTY48P05T 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTY48P05T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IXTY48P05T 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchP™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs53nC @ 10V
Vgs (최대)±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3660pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)150W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Diodes Incorporated

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.3A (Ta), 70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2841pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

패키지 / 케이스

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FDA15N65

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

440mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3095pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

260W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PN

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

IRF7809AVTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3780pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF620PBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1924pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

106W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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