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IXXR110N65B4H1

IXXR110N65B4H1

참조 용

부품 번호 IXXR110N65B4H1
PNEDA 부품 번호 IXXR110N65B4H1
설명 IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 19 - 3월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXXR110N65B4H1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXXR110N65B4H1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXXR110N65B4H1, IXXR110N65B4H1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 217.47 KB)
PDFIXXR110N65B4H1 데이터 시트 표지
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IXXR110N65B4H1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX4™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)150A
전류-수집기 펄스 (Icm)460A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 110A
전력-최대455W
에너지 전환2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지183nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C38ns/156ns
테스트 조건400V, 55A, 2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)100ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™

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제조업체

ON Semiconductor

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.7V @ 15V, 40A

전력-최대

200W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

300ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-264-3

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

56W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

I2PAK

IXSH24N60A

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

전력-최대

150W

에너지 전환

2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/450ns

테스트 조건

480V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXSH)

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

390µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/125ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

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에너지 전환

500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/150ns

테스트 조건

480V, 12A, 18Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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