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IXYH16N250C

IXYH16N250C

참조 용

부품 번호 IXYH16N250C
PNEDA 부품 번호 IXYH16N250C
설명 IGBT 2500V 35A TO247AD
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYH16N250C 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYH16N250C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYH16N250C, IXYH16N250C 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 203.51 KB)
PDFIXYH16N250C 데이터 시트 표지
IXYH16N250C 데이터 시트 페이지 2 IXYH16N250C 데이터 시트 페이지 3 IXYH16N250C 데이터 시트 페이지 4 IXYH16N250C 데이터 시트 페이지 5 IXYH16N250C 데이터 시트 페이지 6

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IXYH16N250C 사양

제조업체IXYS
시리즈XPT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)2500V
전류-수집기 (Ic) (최대)35A
전류-수집기 펄스 (Icm)126A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4V @ 15V, 16A
전력-최대500W
에너지 전환4.75mJ (on), 3.9mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지97nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14ns/260ns
테스트 조건1250V, 16A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)19ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

전력-최대

521W

에너지 전환

742µJ (on), 427µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

203nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/122ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

D3Pak

IRGP35B60PDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 35A

전력-최대

308W

에너지 전환

220µJ (on), 215µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/110ns

테스트 조건

390V, 22A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IRG4BC30F-STRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

230µJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/200ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

HGT1S7N60A4DS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

55µJ (on), 60µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/100ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

IRG4BC15UD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

42A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

전력-최대

49W

에너지 전환

240µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/160ns

테스트 조건

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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