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IXYH40N120C3

IXYH40N120C3

참조 용

부품 번호 IXYH40N120C3
PNEDA 부품 번호 IXYH40N120C3
설명 IGBT 1200V 70A 577W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYH40N120C3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYH40N120C3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYH40N120C3, IXYH40N120C3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 201.97 KB)
PDFIXYH40N120C3 데이터 시트 표지
IXYH40N120C3 데이터 시트 페이지 2 IXYH40N120C3 데이터 시트 페이지 3 IXYH40N120C3 데이터 시트 페이지 4 IXYH40N120C3 데이터 시트 페이지 5 IXYH40N120C3 데이터 시트 페이지 6

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IXYH40N120C3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™, XPT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)115A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4V @ 15V, 40A
전력-최대577W
에너지 전환3.9mJ (on), 660µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지85nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C24ns/125ns
테스트 조건600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 (IXYH)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

500W

에너지 전환

1.16mJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

369nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/492ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG4PC50FD-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 39A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.5mJ (on), 2.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

55ns/240ns

테스트 조건

480V, 39A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

SGB15N120ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

전력-최대

198W

에너지 전환

1.9mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

130nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/580ns

테스트 조건

800V, 15A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

APT70GR65B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

134A

전류-수집기 펄스 (Icm)

260A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

전력-최대

595W

에너지 전환

1.51mJ (on), 1.46mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

305nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/170ns

테스트 조건

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IGW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

305W

에너지 전환

490µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/175ns

테스트 조건

400V, 25A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

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