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IXYH75N120B4

IXYH75N120B4

참조 용

부품 번호 IXYH75N120B4
PNEDA 부품 번호 IXYH75N120B4
설명 IGBT
제조업체 IXYS
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재고 있음 6,012
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYH75N120B4 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYH75N120B4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYH75N120B4, IXYH75N120B4 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 163.07 KB)
PDFIXYH75N120B4 데이터 시트 표지
IXYH75N120B4 데이터 시트 페이지 2 IXYH75N120B4 데이터 시트 페이지 3 IXYH75N120B4 데이터 시트 페이지 4 IXYH75N120B4 데이터 시트 페이지 5 IXYH75N120B4 데이터 시트 페이지 6

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IXYH75N120B4 사양

제조업체IXYS
시리즈XPT™, GenX4™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)240A
전류-수집기 펄스 (Icm)440A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 75A
전력-최대1150W
에너지 전환4.5mJ (on), 2.7mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지157nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/182ns
테스트 조건600V, 50A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)66ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

168A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전력-최대

312W

에너지 전환

2.37mJ (on), 500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/68ns

테스트 조건

400V, 50A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

132ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRGR4045DTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

전력-최대

77W

에너지 전환

56µJ (on), 122µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/75ns

테스트 조건

400V, 6A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

74ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

IRGP6690D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

전력-최대

483W

에너지 전환

2.4mJ (on), 2.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

85ns/222ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

RGT8TM65DGC9

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

16W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/69ns

테스트 조건

400V, 4A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

-

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