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IXYP15N65C3D1

IXYP15N65C3D1

참조 용

부품 번호 IXYP15N65C3D1
PNEDA 부품 번호 IXYP15N65C3D1
설명 IGBT 650V 38A 200W TO220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,412
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYP15N65C3D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYP15N65C3D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYP15N65C3D1, IXYP15N65C3D1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 214.64 KB)
PDFIXYP15N65C3D1 데이터 시트 표지
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IXYP15N65C3D1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)38A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 15A
전력-최대200W
에너지 전환270µJ (on), 230µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지19nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/68ns
테스트 조건400V, 15A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)110ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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ON Semiconductor

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 130A

전력-최대

45W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

294W

에너지 전환

1.2mJ (on), 370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

109nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

64ns/132ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 40A

전력-최대

300W

에너지 전환

6.1mJ (on), 3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 40A, 39Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

180ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IXGR32N60C

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

전력-최대

140W

에너지 전환

320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/85ns

테스트 조건

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

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에너지 전환

56µJ (on), 122µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/75ns

테스트 조건

400V, 6A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

74ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

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